In‐Memory Vector‐Matrix Multiplication in Monolithic Complementary Metal–Oxide–Semiconductor‐Memristor Integrated Circuits: Design Choices, Challenges, and Perspectives

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Link zu diesem Datensatz	https://d-nb.info/1261343808
Titel	In‐Memory Vector‐Matrix Multiplication in Monolithic Complementary Metal–Oxide–Semiconductor‐Memristor Integrated Circuits: Design Choices, Challenges, and Perspectives
Person(en)	Amirsoleimani, Amirali (Verfasser) Alibart, Fabien (Verfasser) Yon, Victor (Verfasser) Xu, Jianxiong (Verfasser) Pazhouhandeh, M. Reza (Verfasser) Ecoffey, Serge (Verfasser) Beilliard, Yann (Verfasser) Genov, Roman (Verfasser) Drouin, Dominique (Verfasser)
Umfang/Format	Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier	URN: urn:nbn:de:101:1-2022062910403715114487 DOI: 10.1002/aisy.202000115
URL	https://doi.org/10.1002/aisy.202000115
Zeitliche Einordnung	Erscheinungsdatum: 23.08.2020
Sprache(n)	Englisch (eng)
Beziehungen	Enthalten in: Advanced intelligent systems (Bd. 2, 2020, Nr. 11. 23 S.)

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