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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Design and characterization of highly-efficient GaN-HEMTs for power applications
Person(en) Reiner, Richard (Verfasser)
Ambacher, Oliver (Akademischer Betreuer)
Organisation(en) Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Institut für Mikrosystemtechnik (Mitwirkender)
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Institut für Nachhaltige Technische Systeme (Mitwirkender)
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Fakultät für Angewandte Wissenschaften (Grad-verleihende Institution)
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg (Verlag)
Verlag Freiburg : Universität
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2016
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Hochschulschrift Dissertation, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, 2016
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:25-freidok-128898
DOI: 10.6094/UNIFR/12889
URL https://freidok.uni-freiburg.de/data/12889 (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen cc_by_sa http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/deed.de cc
Schlagwörter Galliumnitrid ; Heterostruktur ; Leistungselektronik ; Transistor ; HEMT ; Stromverdrängung ; Fraktal ; Fluss ; Diode ; Freilauf
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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