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Titel Dual‐Site Doping and Low‐Angle Grain Boundaries Lead to High Thermoelectric Performance in N‐Type Bi 2 S 3
Person(en) Yang, Jian (Verfasser)
Ye, Haolin (Verfasser)
Zhang, Xiangzhao (Verfasser)
Miao, Xin (Verfasser)
Yang, Xiubo (Verfasser)
Xie, Lin (Verfasser)
Shi, Zhongqi (Verfasser)
Chen, Shaoping (Verfasser)
Zhou, Chongjian (Verfasser)
Qiao, Guanjun (Verfasser)
Wuttig, Matthias (Verfasser)
Wang, Li (Verfasser)
Liu, Guiwu (Verfasser)
Yu, Yuan (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023120414552714234291
DOI: 10.1002/adfm.202306961
URL https://doi.org/10.1002/adfm.202306961
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 04.12.2023
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Advanced functional materials (04.12.2023. 11 S.)

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