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Artikel
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Titel Effects of Total Ionizing Dose on HfO 2 ‐Based Ferroelectric Tunnel Junction Artificial Synapses
Person(en) Xie, Shicong (Verfasser)
Zhong, Xiangli (Verfasser)
Yao, Linyan (Verfasser)
Long, Jiemei (Verfasser)
Ma, Chuan (Verfasser)
Wang, Jinbin (Verfasser)
Fu, Zhao (Verfasser)
Song, Hongjia (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2512031310319.624877626257
DOI: 10.1002/pssa.202500465
URL https://doi.org/10.1002/pssa.202500465
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 02.12.2025
DDC-Notation 539.77 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (02.12.2025. 8 S.)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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