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Ergebnis der Suche nach: "Richard" and "Mason"

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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/133495223X
Titel Highly 28Si enriched silicon by localised focused ion beam implantation / by Ravi Acharya, Maddison Coke, Mason Adshead, Kexue Li, Barat Achinuq, Rongsheng Cai, A. Baset Gholizadeh, Janet Jacobs, Jessica L. Boland, Sarah J. Haigh, Katie L. Moore, David N. Jamieson, Richard J. Curry
Person(en) Acharya, Ravi (Verfasser)
Coke, Maddison (Verfasser)
Adshead, Mason (Verfasser)
Li, Kexue (Verfasser)
Achinuq, Barat (Verfasser)
Cai, Rongsheng (Verfasser)
Gholizadeh, A. Baset (Verfasser)
Jacobs, Janet (Verfasser)
Boland, Jessica L. (Verfasser)
Haigh, Sarah J. (Verfasser)
Moore, Katie L. (Verfasser)
Jamieson, David N. (Verfasser)
Curry, Richard J. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2407082106101.306671103017
DOI: 10.1038/s43246-024-00498-0
URL https://doi.org/10.1038/s43246-024-00498-0
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Communications materials (Bd. 5, 7.5.2024, Nr. 1, date:12.2024: 1-7)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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