Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/982375719 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Large signal modeling of GaN device for high power amplifier design / Anwar Hasan Jarndal |
Person(en) | Jarndal, Anwar Hasan (Verfasser) |
Verlag | Kassel : Kassel Univ. Press |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2007 |
Umfang/Format | XXV, 107 S. : graph. Darst. ; 24 cm |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Jarndal, Anwar Hasan: Large signal modeling of GaN device for high power amplifier design |
Hochschulschrift | Zugl.: Kassel, Univ., Diss., 2006 |
ISBN/Einband/Preis |
978-3-89958-258-1 kart. : EUR 29.00 3-89958-258-6 kart. : EUR 29.00 |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Schlagwörter | HEMT ; Leistungsverstärker ; Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid ; Großsignalverhalten |
DDC-Notation | 621.381325 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
Weiterführende Informationen |
Inhaltstext Inhaltstext |
Frankfurt |
Signatur: 2007 A 20715 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: 2007 A 13620 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
