Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/983439613 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Physics based analytical modeling of SiGe heterojunction bipolar transistors for high speed integrated circuits / Tran Hoang Hung |
Person(en) | Tran-Hoang-Hung (Verfasser) |
Verlag | Dresden : TUDpress |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2007 |
Umfang/Format | XXI, 150 S. : graph. Darst. ; 21 cm |
Hochschulschrift | Zugl.: Dresden, Techn. Univ., Diss., 2006 |
ISBN/Einband/Preis |
978-3-940046-01-7 kart. : EUR 30.80 3-940046-01-9 kart. : EUR 30.80 |
EAN | 9783940046017 |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Schlagwörter | Silicium ; Germanium ; Heterobipolartransistor ; Kleinsignalverhalten ; Physikalische Eigenschaft ; Modell |
DDC-Notation | 621.381528 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
Frankfurt |
Signatur: 2007 A 21780
Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: 2007 A 26236
Bereitstellung in Leipzig |
