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Titel On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications / Matthias Sinnwell
Person(en) Sinnwell, Matthias (Verfasser)
Organisation(en) Fraunhofer IRB-Verlag (Verlag)
Fraunhofer IAF, Freiburg (Herausgebendes Organ)
Verlag Stuttgart : Fraunhofer Verlag
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2025
Umfang/Format 185 Seiten : num., mostly col. illus. and tab. ; 21 cm
Hochschulschrift Dissertation, Univ., Freiburg, 2025
ISBN/Einband/Preis 978-3-8396-2103-5 Broschur : EUR 56.00 (DE), EUR 57.60 (AT), CHF 86.30 (freier Preis)
3-8396-2103-8
Bestellnummer(n) Bestellnummer fhg-iaf_75
EAN 9783839621035
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Science for Systems
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik
Weiterführende Informationen Inhaltstext
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Frankfurt Publikation im Haus und in Bearbeitung
Leipzig Signatur: 2025 AA 57718
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