Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1088775187 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs / Christian Tobias Banzhaf |
| Person(en) | Banzhaf, Christian Tobias (Verfasser) |
| Organisation(en) | Shaker Verlag (Verlag) |
| Ausgabe | [1. Auflage] |
| Verlag | Aachen : Shaker Verlag |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2016 |
| Umfang/Format | iv, 248 Seiten : Illustrationen ; 21 cm, 402 g |
| Hochschulschrift | Dissertation, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, 2016 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8440-4372-3 Broschur : EUR 49.80 (AT), sfr 62.30 (freier Preis), EUR 49.80 (DE) 3-8440-4372-1 |
| EAN | 9783844043723 |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Beziehungen | Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016,1 |
| Schlagwörter | Leistungstransistor ; MOS-FET ; MOS ; Trench <Mikroelektronik> ; Siliciumcarbid ; Hexagonaler Kristall ; Wide-bandgap Halbleiter ; Wafer ; Nachbehandlung |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2016 A 21871
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2016 A 31681
Bereitstellung in Leipzig |
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