Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/136366929X |
| Titel | High-throughput numerical modeling of the tunable synaptic behavior in 2D MoS2 memristive devices / Benjamin Spetzler, Vinod K. Sangwan, Mark C. Hersam, Martin Ziegler |
| Person(en) |
Spetzler, Benjamin (Verfasser) Sangwan, Vinod K. (Verfasser) Hersam, Mark C. (Verfasser) Ziegler, Martin (Verfasser) |
| Verlag | Kiel : Universitätsbibliothek Kiel |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:gbv:8:3-2025-00274-3 |
| URL | https://macau.uni-kiel.de/receive/macau_mods_00005799 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Anmerkungen |
In: npj 2D Materials and Applications(9), H. 1 - ISSN 2397-7132 In: Springer Science and Business Media LLC, London |
| DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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