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Neuigkeiten Dienstag 18. November 2025: Die Lesesäle der Deutschen Nationalbibliothek in Frankfurt am Main öffnen wegen einer Personalversammlung erst ab 13 Uhr. // Tuesday 18 November 2025: The reading rooms of the German National Library in Frankfurt am Main will open at 13:00 due to a staff assembly.
 
 

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Advanced modeling of AlGaN, GaN HEMTs and Si power MOSFETs for switched-mode applications and electromagnetic interference simulation / vorgelegt von Christian Marc Lautensack
Person(en) Lautensack, Christian Marc (Verfasser)
Ausgabe 1. ed.
Verlag Weiler bei Bingen : Lautensack
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2013
Umfang/Format X, 164 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm
Hochschulschrift Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2012
ISBN/Einband/Preis 978-3-938184-08-0 kart.
EAN 9783938184080
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter HEMT ; Galliumnitrid ; Schaltverstärker ; Mikrowellentransistor ; Streumatrix <Elektrotechnik> ; Parameteridentifikation ; Simulation
MOS-FET ; Schaltverstärker ; Mikrowellentransistor ; Streumatrix <Elektrotechnik> ; Parameteridentifikation ; Elektromagnetische Verträglichkeit ; Simulation
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2014 A 74244
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2014 A 55639
Bereitstellung in Leipzig




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