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Titel Studies of the Origins of Half-Loop Arrays and Interfacial Dislocations Observed in Homoepitaxial Layers of 4H-SiC / by H. Wang, M. Dudley, F. Wu, Y. Yang, B. Raghothamachar, J. Zhang, G. Chung, B. Thomas, E.K. Sanchez, S.G. Mueller, D. Hansen, M.J. Loboda
Person(en) Wang, H. (Verfasser)
Dudley, M. (Verfasser)
Wu, F. (Verfasser)
Yang, Y. (Verfasser)
Raghothamachar, B. (Verfasser)
Zhang, J. (Verfasser)
Chung, G. (Verfasser)
Thomas, B. (Verfasser)
Sanchez, E.K (Verfasser)
Mueller, S.G (Verfasser)
Hansen, D. (Verfasser)
Loboda, M.J (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022021323233928390571
DOI: 10.1007/s11664-014-3497-3
URL https://doi.org/10.1007/s11664-014-3497-3
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2014
DDC-Notation 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 44, 8.11.2014, Nr. 5, date:5.2015: 1268-1274)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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