Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/995437491 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung / von Martin Neuburger |
| Person(en) | Neuburger, Martin (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2006 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 3,0 MB |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Neuburger, Martin: Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung |
| Hochschulschrift | Ulm, Univ., Diss., 2006 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bsz:289-vts-57224 |
| URL | http://vts.uni-ulm.de/docs/2006/5722/vts_5722_7591.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Schlagwörter | Galliumnitrid ; Feldeffekttransistor ; HEMT |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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