Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/982288042 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Molecular beam deposition (MBD) and characterisation of high-k material as alternative gate oxides for MOS-technology / von Vanessa Capodieci |
| Person(en) | Capodieci, Vanessa (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: [2006] |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 5,3 MB |
| Hochschulschrift | München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bvb:706-1682 |
| URL |
http://ub.unibw-muenchen.de/dissertationen/ediss/capodieci-vanessa/inhalt.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://137.193.200.177/ediss/capodieci-vanessa/meta.html (Verlag) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | High-k-Dielektrikum ; Gate-Oxid ; Aluminiumoxide ; Praseodymoxide ; Lanthanoxid ; Molekularstrahlepitaxie |
| DDC-Notation | 621.38152 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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