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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1355801133
Titel PECVD Si<sub>x</sub>C<sub>y</sub> as Barrier Layer Against Aluminum in Solar Cells With poly-Si/SiO<sub>x</sub> Passivating Contacts / David Bäurle, Benjamin Gapp, Giso Hahn, Heiko Plagwitz, Barbara Terheiden
Person(en) Bäurle, David (Verfasser)
Gapp, Benjamin (Verfasser)
Hahn, Giso (Verfasser)
Plagwitz, Heiko (Verfasser)
Terheiden, Barbara (Verfasser)
Verlag Konstanz : KOPS Universität Konstanz
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:352-2-ge0ls7rdw0tk2
URL https://kops.uni-konstanz.de/handle/123456789/72185 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen In: DUBOIS, Sébastien, Hrsg.. SiliconPV 2024, the 14th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics : April 15 - April 19 2024, Chambéry, France. Hannover: TIB Open Publishing, 2024. SiliconPV proceedings. 2. eISSN 2940-2123. Verfügbar unter: doi: 10.52825/siliconpv.v2i.1291
DDC-Notation 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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