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Ergebnis der Suche nach: "Peter" and "Hart"



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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1358469059
Titel Epitaxial Growth of ScAlN on (111) Si Via Molecular Beam Epitaxy / by Matthew T. Hardy, Andrew C. Lang, James L. Hart, Eric N. Jin, Neeraj Nepal, Vikrant J. Gokhale, Brian P. Downey, D. Scott Katzer, Peter M. Litwin, Maria Gabriela Sales, Tyler A. Growden, Virginia D. Wheeler
Person(en) Hardy, Matthew T. (Verfasser)
Lang, Andrew C. (Verfasser)
Hart, James L. (Verfasser)
Jin, Eric N. (Verfasser)
Nepal, Neeraj (Verfasser)
Gokhale, Vikrant J. (Verfasser)
Downey, Brian P. (Verfasser)
Katzer, D. Scott (Verfasser)
Litwin, Peter M. (Verfasser)
Sales, Maria Gabriela (Verfasser)
Growden, Tyler A. (Verfasser)
Wheeler, Virginia D. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2503032128242.955748152333
DOI: 10.1007/s11664-024-11673-x
URL https://doi.org/10.1007/s11664-024-11673-x
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
DDC-Notation 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (23.12.2024: 1-8)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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