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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1144737494
Titel Subnanometer Analysis and Modeling of MBE Grown InP Based MODFETs / by Matthew Seaford, Scott Massie, Dave Hartzell, Glenn Martin, Warren Wu, John Tucker, Lester Eastman
Person(en) Seaford, Matthew (Verfasser)
Massie, Scott (Sonstige)
Hartzell, Dave (Sonstige)
Martin, Glenn (Sonstige)
Wu, Warren (Sonstige)
Tucker, John (Sonstige)
Eastman, Lester (Sonstige)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:1111-201711188870
DOI: 10.1007/s11664-997-0129-1
URL http://dx.doi.org/10.1007/s11664-997-0129-1
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1992
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 26, 1.1.1997, Nr. 1, date:1.1997: 30-33)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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