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Titel Design and Simulation of III‐Nitride‐Based Polarization‐Matched Resonant‐Tunneling Diodes with Quaternary AlGaInN Quantum Wells and Ternary AlInN Double Barriers
Person(en) Imaizumi, Hikaru (Verfasser)
Mase, Akira (Verfasser)
Egawa, Takashi (Verfasser)
Miyoshi, Makoto (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2509291408464.569485891583
DOI: 10.1002/pssr.202500199
URL https://doi.org/10.1002/pssr.202500199
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 28.09.2025
DDC-Notation 537.6223 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / Rapid research letters (28.09.2025. 7 S.)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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