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Titel SiGe Heterojunction Bipolar Transistors / by Maurizio Arienzo, James H. Comfort, Emmanuel F. Crabbé, David L. Marame, Subramanian S. Iyer, Bernard S. Meyerson, Gary L. Patton, Johannes M. C. Stork, Yuan-Chen Sun
Person(en) Arienzo, Maurizio (Verfasser)
Comfort, James H. (Verfasser)
Crabbé, Emmanuel F. (Verfasser)
Marame, David L. (Verfasser)
Iyer, Subramanian S. (Verfasser)
Meyerson, Bernard S. (Verfasser)
Patton, Gary L. (Verfasser)
Stork, Johannes M. C. (Verfasser)
Sun, Yuan-Chen (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022122621221358025870
DOI: 10.1557/PROC-220-421
URL https://doi.org/10.1557/PROC-220-421
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1991
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 220, 24.10.1991, Nr. 1, date:12.1991: 421-431)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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