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Art des Inhalts Zeitschrift
Titel MRS internet journal of nitride semiconductor research : MIJ-NSR
Organisation(en) Materials Research Society (Verfasser)
Verlag Cambridge : Cambridge University Press - Warrendale, Pa. : Soc.
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: [1996-2005]
Zählung Volume 1 (1996)-volume 10 (2005) ; damit Erscheinen eingestellt
URL https://www.cambridge.org/core/journals/materials-research-society-internet-journal-of-nitride-semiconductor-research (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
https://www.springer.com/journal/43583/ (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
https://ezb.ur.de/?2021992-1 (Elektronische Zeitschriftenbibliothek)
ISSN ISSN der Vorlage: 1092-5783
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen Gesehen am 18.04.24
Schlagwörter Halbleiter ; Nitride ; Zeitschrift ; Online-Ressource
Zugehörige Artikel 504 Artikel
  1. 300°C GaN/AlGaN Heterojunction Bipolar Transistor
    Enthalten in Materials Research Society: MRS internet journal of nitride semiconductor research Bd. 3, 1.12.1998, Nr. 1, date:12.1998: 1-4
  2. A Comparative Study Of GaN Diodes Grown by MBE on Sapphire and HVPE-GaN /Sapphire Substrates
    Enthalten in Materials Research Society: MRS internet journal of nitride semiconductor research Bd. 5, 12.12.2020, Nr. 1, date:12.2000: 577-583
  3. ...





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