Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1159834059 |
| Titel | III-Nitride Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Growth and Characterization and Use in Gas Sensing Devices / Eunjung Cho |
| Person(en) | Cho, Eunjung (Verfasser) |
| Ausgabe | 1. Auflage |
| Verlag | Aachen : Shaker |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2009 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, 160 Seiten : 119 Illustrationen (pdf) |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Cho, Eunjung: III-nitride metal organic vapor phase epitaxy growth and characterization and use in gas sensing devices |
| Hochschulschrift | Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2008 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:101:1-201805201933 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-8322-8431-2 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Berichte aus der Hochfrequenztechnik |
| Anmerkungen | Lizenzpflichtig |
| Schlagwörter |
Verbindungshalbleiter ; Borgruppennitride ; Gasphasenepitaxie ; MOCVD-Verfahren Gassensor ; Halbleitersensor ; Galliumnitrid Gassensor ; Halbleitersensor ; Schottky-Diode ; Galliumnitrid ; Aluminiumnitrid |
| DDC-Notation | 681.2 [DDC22ger]; 621.38152 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 670 Industrielle und handwerkliche Fertigung ; 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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