Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=621.3*
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1191845311 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Gallium nitride high electron mobility transistors on native substrates for power switching applications : fabrication, characterization and modelling / Muhammad Alshahed |
| Person(en) | Alshahed, Muhammad (Verfasser) |
| Organisation(en) | Shaker Verlag (Verlag) |
| Ausgabe | [1. Auflage] |
| Verlag | Düren : Shaker Verlag |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2019 |
| Umfang/Format | xxxi, 212 Seiten : Illustrationen ; 21 cm, 321 g |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Alshahed, Muhammad: Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors on Native Substrates for Power Switching Applications |
| Hochschulschrift | Dissertation, Universität Stuttgart, 2019 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8440-6885-6 Broschur : EUR 49.80 (DE), EUR 49.80 (AT), CHF 62.30 (freier Preis) 3-8440-6885-6 |
| EAN | 9783844068856 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| Schlagwörter | HEMT ; Galliumnitrid ; Hochspannungsschalter ; Leckstrom ; Verlustwärme ; Thermodynamische Eigenschaft ; Wärmeleitfähigkeit |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC23ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2019 A 55583 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2020 A 10067 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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