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Ergebnis der Suche nach: tit all "SiGe Heterojunction Bipolar Transistors"

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Titel Simulation of effects of emitter and collector widths on performance of silicon–germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) / by A. Khadir, N. Sengouga, A. Kouzou, M. K. Abdelhafidi
Person(en) Khadir, A. (Verfasser)
Sengouga, N. (Sonstige)
Kouzou, A. (Sonstige)
Abdelhafidi, M. K. (Sonstige)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2018070301293366005760
DOI: 10.1007/s10825-018-1157-1
URL http://dx.doi.org/10.1007/s10825-018-1157-1
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2018
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of computational electronics (Bd. 17, 26.3.2018, Nr. 2, date:6.2018: 682-688)
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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