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Online Ressourcen
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/974322091
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie / Alexandra Ludsteck
Person(en) Ludsteck, Alexandra (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 3,9 MB
Hochschulschrift München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:706-1095
URL http://ub.unibw-muenchen.de/dissertationen/ediss/ludsteck-alexandra/inhalt.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://137.193.200.177/ediss/ludsteck-alexandra/meta.html (Verlag)
Schlagwörter MOS-Schaltung ; Gate-Oxid ; Dielektrische Schicht ; Siliciumdioxid ; Siliciumoxinitride ; Rapid thermal processing
DDC-Notation 621.38152 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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