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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1326047086
Titel Temperature dependence of doping element incorporation with the chemical vapour deposition epitaxial silicon (VI) SiH 4 HCl PH 3 H 2 system
Person(en) Kühne, H. (Verfasser)
Sperling, R. (Verfasser)
Morgenstern, Th. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2024041306502319865937
DOI: 10.1002/crat.19800150909
URL https://doi.org/10.1002/crat.19800150909
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 27.03.2006
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Crystal research and technology (Bd. 15, 2006, Nr. 9: 1051-1058. 8 S.)

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