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Ergebnis der Suche nach: "H.G." and "Wells"

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Titel Characterization of undoped and silicon-doped InGaN/GaN single quantum wells / by B. Schineller, P. H. Lim, G. P. Yablonskii, E. V. Lutsenko, O. Schön, H. Protzmann, M. Heuken, K. Heime
Person(en) Schineller, B. (Verfasser)
Lim, P. H. (Verfasser)
Yablonskii, G. P. (Verfasser)
Lutsenko, E. V. (Verfasser)
Schön, O. (Verfasser)
Protzmann, H. (Verfasser)
Heuken, M. (Verfasser)
Heime, K. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022021300052135053704
DOI: 10.1007/s11664-000-0090-8
URL https://doi.org/10.1007/s11664-000-0090-8
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2000
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 29, Nr. 1, date:1.2000: 31-36)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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