Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Jacobs" and "Karl"
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1242879668 |
Titel | Process Optimization for Selective Area Doping of GaN by Ion Implantation / by Mona A. Ebrish, Travis J. Anderson, Alan G. Jacobs, James C. Gallagher, Jennifer K. Hite, Michael A. Mastro, Boris N. Feigelson, Yekan Wang, Michael Liao, Mark Goorsky, Karl D. Hobart |
Person(en) |
Ebrish, Mona A. (Verfasser) Anderson, Travis J. (Verfasser) Jacobs, Alan G. (Verfasser) Gallagher, James C. (Verfasser) Hite, Jennifer K. (Verfasser) Mastro, Michael A. (Verfasser) Feigelson, Boris N. (Verfasser) Wang, Yekan (Verfasser) Liao, Michael (Verfasser) Goorsky, Mark (Verfasser) Hobart, Karl D. (Verfasser) |
Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2021101010043120655267 DOI: 10.1007/s11664-021-08984-8 |
URL | https://doi.org/10.1007/s11664-021-08984-8 |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2021 |
DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 50, 28.5.2021, Nr. 8, date:8.2021: 4642-4649) |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
