Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/950283886 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Selektives Wachstum von Si und SiGe mittels LPCVD im Hinblick auf vertikale MOSFET-Anwendungen / Rogér Loo. [Forschungszentrum Jülich GmbH, KFA, Institut für Schicht- und Ionentechnik] |
| Person(en) | Loo, Rogér (Verfasser) |
| Verlag | Jülich : Forschungszentrum, Zentralbibliothek |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 1996 |
| Umfang/Format | X, 172 S. : Ill., graph. Darst. ; 30 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996 |
| ISBN/Einband/Preis | kart. |
| Identifikationsnummern | Reportnummer: Jül 3328 |
| Sachgruppe(n) | 29 Physik, Astronomie ; 37 Elektrotechnik |
| Frankfurt |
Signatur: 1997 B 5327
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 1997 B 5327
Bereitstellung in Leipzig |

