Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/133858779X |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Epitaxy of novel AlScN/GaN and AlYN/GaN heterostructures by metal-organic chemical vapour deposition |
| Person(en) |
Streicher, Isabel (Verfasser) Ambacher, Oliver (Akademischer Betreuer) Zacharias, Margit |
| Organisation(en) |
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Fakultät für Angewandte Wissenschaften (Grad-verleihende Institution) Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Mitwirkender) |
| Verlag | Freiburg : Universität |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2024 |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Hochschulschrift | Dissertation, Universität Freiburg, 2024 |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:bsz:25-freidok-2558886 DOI: 10.6094/UNIFR/255888 |
| URL | https://freidok.uni-freiburg.de/data/255888 (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Heterostruktur* ; Galliumnitrid* ; Aluminiumnitrid* ; HEMT* ; MOCVD-Verfahren* ; Heterostruktur-Bauelement* (*maschinell ermittelt) |
| DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik ; 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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