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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Fabrication and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors / vorgelegt von Peter Javorka
Person(en) Javorka, Peter (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2004
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 7,1 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Javorka, Peter: Fabrication and characterization of AIGaN/GaN high electron mobility transistors
Hochschulschrift Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2004
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-7897
URL http://sylvester.bth.rwth-aachen.de/dissertationen/2004/052/04_052.pdf (kostenfrei zugänglich)
http://sylvester.bth.rwth-aachen.de/dissertationen/2004/052/index.htm (Verlag)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter HEMT ; Heterostruktur-Bauelement ; Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid ; Substrat <Mikroelektronik> ; Saphir
HEMT ; Heterostruktur-Bauelement ; Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid ; Substrat <Mikroelektronik> ; Silicium
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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