Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1372500650
Titel Enabling static random-access memory cell scaling with monolithic 3D integration of 2D field-effect transistors / by Muhtasim Ul Karim Sadaf, Ziheng Chen, Shiva Subbulakshmi Radhakrishnan, Yongwen Sun, Lei Ding, Andrew R. Graves, Yang Yang, Joan M. Redwing, Saptarshi Das
Person(en) Sadaf, Muhtasim Ul Karim (Verfasser)
Chen, Ziheng (Verfasser)
Subbulakshmi Radhakrishnan, Shiva (Verfasser)
Sun, Yongwen (Verfasser)
Ding, Lei (Verfasser)
Graves, Andrew R. (Verfasser)
Yang, Yang (Verfasser)
Redwing, Joan M. (Verfasser)
Das, Saptarshi (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2507262139047.670939784456
DOI: 10.1038/s41467-025-59993-8
URL https://doi.org/10.1038/s41467-025-59993-8
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2025
DDC-Notation 621.397 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Nature Communications (Bd. 16, 26.5.2025, Nr. 1, date:12.2025: 1-10)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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