Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1020682108 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Entwicklung von siliziumbasierten Transistoren für den Einsatz bei hohen Temperaturen in der Gassensorik / Peter Iskra |
| Person(en) | Iskra, Peter (Verfasser) |
| Ausgabe | 1. Aufl. |
| Verlag | Göttingen : Cuvillier |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | IX, 224 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2012 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-95404-032-2 kart. : EUR 36.00 (DE), EUR 37.10 (AT) 978-3-9540403-2-2 (falsch) |
| EAN | 9783954040322 |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Schlagwörter | MOS-FET ; FG-FET ; Siliciumbauelement ; SOI-Technik ; Lateraltransistor ; Vertikaler Transistor ; Temperaturbeständigkeit ; Hochtemperatur ; Gassensor |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger]; 681.2 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik ; 670 Industrielle und handwerkliche Fertigung |
| Weiterführende Informationen |
Inhaltsverzeichnis Inhaltstext |
| Frankfurt |
Signatur: 2013 A 12460
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2012 A 43410
Bereitstellung in Leipzig |
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