Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1029085846 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Growth and properties of In(Ga) AS nanowires on silicon / Simon Hertenberger |
| Person(en) | Hertenberger, Simon (Verfasser) |
| Ausgabe | 1. Aufl. |
| Verlag | Garching : Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | VII, 152 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2012 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-941650-44-2 kart.: EUR 15.00 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Selected topics of semiconductor physics and technology ; Vol. 144 |
| DDC-Notation | 537.622 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2013 A 11698
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2013 A 7196
Bereitstellung in Leipzig |
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