Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1168535069 |
| Titel | Vertical Field-Effect Transistors Based on 3D GaN Nanowire Arrays / Feng Yu |
| Person(en) | Yu, Feng (Verfasser) |
| Organisation(en) | Verlag Dr. Hut (München) (Verlag) |
| Verlag | München : Verlag Dr. Hut |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2018 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, 174 Seiten |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Vertical Field-Effect Transistors Based on 3D GaN Nanowire Arrays |
| Hochschulschrift | Dissertation, Technische Universität Braunschweig, 2018 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:101:1-2018100523421410727341 |
| URL | http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-3729-0.html (Verlag) |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-8439-3729-0 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Elektrotechnik |
| Anmerkungen | Lizenzpflichtig. - Vom Verlag als Druckwerk on demand und/oder als E-Book angeboten |
| Schlagwörter | Field-effect transistors* ; Nanowires* (*maschinell ermittelt) |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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