Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/124644576X |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Herstellung und Charakterisierung von schnellen pseudomorphen InP-In x Ga 1-x As-InP-p-und-n-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren : ein Beitrag zur modernen Halbleitertechnik / Antonio Mesquida Küsters |
Person(en) | Mesquida Küsters, Antonio (Verfasser) |
Verlag | Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2021 |
Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
Hochschulschrift | Dissertation, Techn. Hochsch., 1994 |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2021112503000816535023 DOI: 10.18154/RWTH-CONV-139599 |
URL | https://publications.rwth-aachen.de/record/78373 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
Sprache(n) | Deutsch (ger) |
Schlagwörter | Heterostruktur* ; Feldeffekttransistor* ; Halbleiter* ; Drain <Elektronik>* ; HEMT* ; Elektron* (*maschinell ermittelt) |
DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
