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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1027588948 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Leakage current and defect characterization of short channel MOSFETs / Guntrade Roll |
| Person(en) | Roll, Guntrade (Verfasser) |
| Verlag | Berlin : Logos-Verl. |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | 159, LXXI S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2012 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8325-3261-1 kart. : EUR 49.50 (DE), EUR 50.90 (AT), sfr 88.10 (freier Pr.) 3-8325-3261-7 |
| EAN | 9783832532611 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; Bd. 2 |
| Schlagwörter | MOS-FET ; Leckstrom ; Gitterbaufehler ; p-Kanal-FET ; High-k-Dielektrikum ; Gate-Oxid ; Source <Elektronik> ; Drain <Elektronik> ; Elektrische Messtechnik ; Simulation |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen |
Inhaltsverzeichnis Inhaltstext |
| Frankfurt |
Signatur: 2013 A 26756
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2013 A 32513
Bereitstellung in Leipzig |
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