Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1270220624 |
| Titel | Fundamental Identification of Defect‐Related Electron Trap in Hf 1− x Zr x O 2 Alloy Gate Dielectric on Silicon: Oxygen Vacancy versus Hydrogen Interstitial |
| Person(en) |
Liu, Zhu-You (Verfasser) Zhang, Cai-Xin (Verfasser) Cao, Ruyue (Verfasser) Cai, Xuefen (Verfasser) Deng, Hui-Xiong (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2022101315033848359357 DOI: 10.1002/pssr.202200316 |
| URL | https://doi.org/10.1002/pssr.202200316 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 13.10.2022 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / Rapid research letters (13.10.2022. 6 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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