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Online Ressourcen
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1261738667
Titel Silicon Nitride Interface Engineering for Fermi Level Depinning and Realization of Dopant-Free MOSFETs / Benjamin Richstein, Lena Hellmich, Joachim Knoch
Person(en) Richstein, Benjamin (Verfasser)
Hellmich, Lena (Verfasser)
Knoch, Joachim (Verfasser)
Verlag Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2021
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022070403254651632859
DOI: 10.18154/RWTH-2022-05461
URL https://publications.rwth-aachen.de/record/847606 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen In: 10.3390/micro1020017
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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