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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1224353919 |
Titel | Area‐Selective Growth of HfS2 Thin Films via Atomic Layer Deposition at Low Temperature / Yuanyuan Cao, Tobias Wähler, Hyoungwon Park, Johannes Will, Annemarie Prihoda, Narine Moses Badlyan, Lukas Fromm, Tadahiro Yokosawa, Bingzhe Wang, Dirk M. Guldi, Andreas Görling, Janina Maultzsch, Tobias Unruh, Erdmann Spiecker, Marcus Halik, Jörg Libuda, Julien Bachmann |
Person(en) |
Cao, Yuanyuan (Verfasser) Wähler, Tobias (Verfasser) Park, Hyoungwon (Verfasser) Will, Johannes (Verfasser) Prihoda, Annemarie (Verfasser) Moses Badlyan, Narine (Verfasser) Fromm, Lukas (Verfasser) Yokosawa, Tadahiro (Verfasser) Wang, Bingzhe (Verfasser) Guldi, Dirk M. (Verfasser) Görling, Andreas (Verfasser) Maultzsch, Janina (Verfasser) Unruh, Tobias (Verfasser) Spiecker, Erdmann (Verfasser) Halik, Marcus (Verfasser) Libuda, Jörg (Verfasser) Bachmann, Julien (Verfasser) |
Verlag | Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2020 |
Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus4-151351 DOI: 10.1002/admi.202001493 |
URL | https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/15135 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Anmerkungen |
In: Advanced Materials Interfaces 7.23 (2020). |
DDC-Notation | 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
