Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1014445876 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Analysis and optimization of AlGaN, GaN high electron mobility transistors for microwave applications / von Michael Hosch. Ulm University, Faculty of Engineering Science and Computer Science, Institute of Electron Devices and Circuits |
| Person(en) | Hosch, Michael (Verfasser) |
| Ausgabe | 1. Aufl. |
| Verlag | Göttingen : Cuvillier |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2011 |
| Umfang/Format | 123 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2011 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-86955-844-8 kart. : EUR 23.75 (DE), EUR 24.50 (AT) |
| EAN | 9783869558448 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | HEMT ; Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen |
Inhaltsverzeichnis Inhaltstext |
| Frankfurt |
Signatur: 2012 A 5404
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2011 A 80046
Bereitstellung in Leipzig |
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