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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1019355328 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Optimization and characterization of GaN-based high electron mobility transistors / Haifeng Sun |
| Person(en) | Sun, Haifeng (Verfasser) |
| Verlag | Aachen : Shaker |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | VIII, 153 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm, 248 g |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Sun, Haifeng: Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors |
| Hochschulschrift | Zugl.: Zürich, Eidgenöss. Techn. Hochsch., Diss., 2011 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-8440-0683-4 kart. : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 (freier Pr.) |
| EAN | 9783844006834 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Berichte aus der Elektrotechnik |
| Schlagwörter |
HEMT ; Galliumnitrid ; Millimeterwelle ; Passivierung ; Trockenätzen ; Ionenimplantation HEMT ; Galliumnitrid ; Aluminiumnitrid ; Halbleitersubstrat ; Silicium ; Millimeterwelle |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2012 A 15763 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2012 A 16372 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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