Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1003886817 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al-In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm / Désriée Queren |
Person(en) | Queren, Désriée (Verfasser) |
Verlag | Aachen : Shaker |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2010 |
Umfang/Format | IV, 160 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm, 246 gr. |
Hochschulschrift | Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2010 |
ISBN/Einband/Preis | 978-3-8322-9162-4 kart. : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 (freier Pr.) |
EAN | 9783832291624 |
Sprache(n) | Deutsch (ger) |
Beziehungen | Berichte aus der Halbleitertechnik |
Schlagwörter | Laserdiode ; MOCVD-Verfahren ; Galliumnitrid ; Indiumnitrid ; Quantenwell |
DDC-Notation | 621.381522 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
Frankfurt |
Signatur: 2010 A 55040
Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: 2010 A 85921
Bereitstellung in Leipzig |
