Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Online Ressourcen
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Titel Vertical Field-Effect Transistors Based on 3D GaN Nanowire Arrays / Feng Yu
Person(en) Yu, Feng (Verfasser)
Organisation(en) Verlag Dr. Hut (München) (Verlag)
Verlag München : Verlag Dr. Hut
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2018
Umfang/Format Online-Ressource, 174 Seiten
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Vertical Field-Effect Transistors Based on 3D GaN Nanowire Arrays
Hochschulschrift Dissertation, Technische Universität Braunschweig, 2018
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2018100523421410727341
URL http://www.dr.hut-verlag.de/978-3-8439-3729-0.html (Verlag)
ISBN/Einband/Preis 978-3-8439-3729-0
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Elektrotechnik
Anmerkungen Lizenzpflichtig. - Vom Verlag als Druckwerk on demand und/oder als E-Book angeboten
Schlagwörter Field-effect transistors* ; Nanowires* (*maschinell ermittelt)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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