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Titel GaN-based Heterostructure Field-Effect Transistors and MMICs for High Frequency Applications / Sanghyun Seo
Person(en) Seo, Sanghyun (Verfasser)
Ausgabe 1. Auflage
Verlag Aachen : Shaker
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2010
Umfang/Format Online-Ressource, 174 Seiten : 115 Illustrationen (pdf)
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Seo, Sanghyun: GaN-based heterostructure field effect transistors and MMICs for high frequency applications
Hochschulschrift Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2009
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2018061706210310878699
ISBN/Einband/Preis 978-3-8322-8282-0
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Berichte aus der Hochfrequenztechnik
Anmerkungen Lizenzpflichtig
Schlagwörter HEMT ; Heterostruktur-Bauelement ; Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid ; Kleinsignalverhalten ; Großsignalverhalten
MIS-FET ; Heterostruktur-Bauelement ; Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid ; Kleinsignalverhalten ; Großsignalverhalten
HEMT ; Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid ; MMIC ; Kleinsignalverhalten ; Großsignalverhalten
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]; 621.38132 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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