Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Treffer 99997 von 1091973
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1277965773 |
| Titel | A Monolayer MoS 2 FET with an EOT of 1.1 nm Achieved by the Direct Formation of a High‐κ Er 2 O 3 Insulator Through Thermal Evaporation |
| Person(en) |
Uchiyama, Haruki (Verfasser) Maruyama, Kohei (Verfasser) Chen, Edward (Verfasser) Nishimura, Tomonori (Verfasser) Nagashio, Kosuke (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2023011214095209204000 DOI: 10.1002/smll.202207394 |
| URL | https://doi.org/10.1002/smll.202207394 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 11.01.2023 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Small (11.01.2023. 8 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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