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Artikel
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1326060031
Titel CMOS‐Integrated Ternary Content Addressable Memory using Nanocavity CBRAMs for High Sensing Margin
Person(en) Hyun, Gihwan (Verfasser)
Alimkhanuly, Batyrbek (Verfasser)
Seo, Donguk (Verfasser)
Lee, Minwoo (Verfasser)
Bae, Junseong (Verfasser)
Lee, Seunghyun (Verfasser)
Patil, Shubham (Verfasser)
Hwang, Youngcheol (Verfasser)
Kadyrov, Arman (Verfasser)
Yoo, Hyungyu (Verfasser)
Devnath, Anupom (Verfasser)
Lee, Yoonmyung (Verfasser)
Lee, Seunghyun (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2024041314240968290036
DOI: 10.1002/smll.202310943
URL https://doi.org/10.1002/smll.202310943
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 12.04.2024
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Small (12.04.2024. 12 S.)

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