Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "112302890"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/920046150 | 
| Titel | Vertical and parallel valence band masses in two-dimensional AlzGa1-zAs. InxAl1-xAs, InxGa1-xAs. InxGa1-x-zAlzAs and InxGa1-xAsyP1-y grown on [100] and [111] oriented substrates / H. Hillmer ; H. Burkhard : S. Hansmann. Deutsche Bundespost TELEKOM, Forschungsinstitut beim FTZ, Forschungsgruppe FI 43 | 
| Person(en) | Hillmer, Hartmut (Verfasser) Burkhard, Herbert (Verfasser) Hansmann, Stefan (Verfasser) | 
| Verlag | Darmstadt : Forschungsinst. beim FTZ | 
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 1991 | 
| Umfang/Format | 17 S. : graph. Darst. ; 30 cm | 
| ISBN/Einband/Preis | geh. | 
| Beziehungen | Deutsche Bundespost Telekom. Forschungsinstitut: Technischer Bericht ; 65 TB 29 E : Forschungsgruppe FI 43 | 
| Anmerkungen | Literaturverz. S. 14 - 17 Status nach VGG: vergriffen | 
| Sachgruppe(n) | 37 Elektrotechnik | 
| Frankfurt | Signatur: D 72b/2152 Bereitstellung in Frankfurt | 
 Administration
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