Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: tit all "SiGe Heterojunction Bipolar Transistors"
Treffer 8 von 8
|
|
| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1264493932 |
| Titel | The Analysis of the Polysilicon base Position of the Thermal Resistance and the Self Heating Effects of 0.13 µm SiGe Heterojunction Bipolar Transistors / by Abdelaaziz Boulgheb, Maya Lakhdara, Saida Latreche |
| Person(en) |
Abdelaaziz Boulgheb (Verfasser) Lakhdara, Maya (Verfasser) Latreche, Saida (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2022080500281563672002 DOI: 10.1134/S1063739722010036 |
| URL | https://doi.org/10.1134/S1063739722010036 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2022 |
| DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Russian microelectronics (Bd. 51, 7.6.2022, Nr. 3, date:6.2022: 192-198) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
Treffer 8 von 8
Administration
