Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1265008140 |
Titel | ZnO-Based Antireflection Layers Obtained by Electron-Beam Evaporation / by L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova |
Person(en) |
Markov, L. K. (Verfasser) Pavluchenko, A. S. (Verfasser) Smirnova, I. P. (Verfasser) |
Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2022081000371414862644 DOI: 10.1134/S1063782622010110 |
URL | https://doi.org/10.1134/S1063782622010110 |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2022 |
DDC-Notation | 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Beziehungen | Enthalten in: Semiconductors (Bd. 56, 12.5.2022, Nr. 2, date:2.2022: 85-90) |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
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