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Titel ZnO-Based Antireflection Layers Obtained by Electron-Beam Evaporation / by L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova
Person(en) Markov, L. K. (Verfasser)
Pavluchenko, A. S. (Verfasser)
Smirnova, I. P. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022081000371414862644
DOI: 10.1134/S1063782622010110
URL https://doi.org/10.1134/S1063782622010110
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2022
DDC-Notation 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Semiconductors (Bd. 56, 12.5.2022, Nr. 2, date:2.2022: 85-90)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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