Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Neuigkeiten Servicezeiten in Frankfurt am Main ab 1. Dezember 2025: Montag bis Freitag 9–18 Uhr und Samstag 10–16 Uhr
Service hours in Frankfurt am Main from 1 December 2025: Monday to Friday 9:00-18:00 and Saturday 10:00-16:00
 
Neuigkeiten Dienstag 9. Dezember 2025: Die Lesesäle der Deutschen Nationalbibliothek in Leipzig öffnen wegen einer Personalversammlung erst ab 13 Uhr. // Tuesday 9 December 2025: The reading rooms of the German National Library in Leipzig will open at 13:00 due to a staff assembly.
 
 

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films / Ekaterina Yurchuk. Gutachter: Thomas Mikolajick ; Kathrin Dörr. Betreuer: Thomas Mikolajick
Person(en) Yurchuk, Ekaterina (Verfasser)
Mikolajick, Thomas (Akademischer Betreuer)
Dörr, Kathrin (Akademischer Betreuer)
Verlag Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden - Dresden : Technische Universität Dresden
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2015
Umfang/Format Online-Ressource
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als: ISBN: 978-3-8325-4003-6
Hochschulschrift Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2015
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-172000
URL http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-172000 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
ISSN ISSN der Vorlage: 2191-7167
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Research at NaMLab
Schlagwörter Nichtflüchtiger Speicher ; Ferroelektrischer Transistor ; Hafniumdioxid ; Dünne Schicht ; Silicium ; CMOS ; Degradation <Technik> ; Dotierung ; Elektrische Eigenschaft ; High-k Metal-Gate-Technik
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]; 621.39732 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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